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2N5191G中文资料

2N5191G图片

2N5191G外观图

  • 大小:84.4KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR, NPN, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:2; Transistor Case Style:TO-225AA; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:600mV; Complementary Device:2N5194 / 2N5195; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic Continuous a Max:4A; Current Ic hFE:4A; Gain Bandwidth ft Min:2MHz; Gain Bandwidth ft Typ:2MHz; Hfe Min:10; Package / Case:TO-225AA; Power Dissipation Pd:40W; Power Dissipation Ptot Max:40W; Termination Type:Through Hole; Transistor T...
  • 标准包装:500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.4V @ 1A,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大):1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):25 @ 1.5A,2V
  • 功率 - 最大:40W
  • 频率 - 转换:2MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商设备封装:TO225AA
  • 包装:散装
  • 其它名称:2N5191GOS

2N5191G供应商

更新时间:2023-01-01 12:44:05
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